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SC1065 Diodo di Schottky a carburo di silicio SiC con tensione 10A/650V e pacchetto TO-220AC
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Certificazione: | ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 31000 pezzi |
|---|---|
| Prezzo: | Negotiable |
| Tempi di consegna: | Tempo di consegna in alta stagione: un mese Tempo di consegna in bassa stagione: entro 15 giorni lav |
| Termini di pagamento: | LC, T/T, PayPal |
| Capacità di alimentazione: | 10000000000 pezzi/anno |
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Informazioni dettagliate |
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| Modello N.O.: | SC1065 | Intensità luminosa: | Nessuna luminosità |
|---|---|---|---|
| Colore: | Nessuna luminosità | Struttura: | Planare |
| Materiale: | altri prodotti | Pacchetto di trasporto: | Tubo |
| Specificità: | Potere elevato | Marchio: | JF, JH. |
| Origine: | Cina | Codice S.A.: | 85411000 |
| Capacità di alimentazione: | 10000000000 pezzi/anno | Dimensione del pacchetto: | 20.00cm * 40.00cm * 15.00cm |
| Peso lordo del pacchetto: | 8.000kg | ||
Descrizione di prodotto
DIODETTO SCHOTTKY al carburo di silicio
Componente elettronico
Numero di parte: SC0265/SC0465/SC0665/SC0865/SC1065/SC1265/SC1565/SC1665/SC2065
Parametro principale: SIC DIODE
| Tipo | VRRM | Se | IR(25oC) | IR ((175oC) | VF(25oC) | VF(175oC) | Tj | Disegno |
| V. | A | μA | μA | V. | V. | oC | ||
| SC0265 | 650 | 2 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | TO-220AC |
| SC0465 | 650 | 4 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| SC0665 | 650 | 6 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| SC0865 | 650 | 8 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| SC1065 | 650 | 10 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| SC1265 | 650 | 12 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| SC1565 | 650 | 15 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| SC1665 | 650 | 16 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 | |
| SC2065 | 650 | 20 | 5 | 50 | 1.65 | 2.3 | 175 |
Marca:Logo JF
Confezione: TO-220AC
Produttore:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.
Descrizione:
Il diodo SiC Schottky non ha perdite di commutazione, offre una migliore efficienza del sistema rispetto ai diodi Si utilizzando un nuovo materiale semiconduttore - Carburo di silicio, consente una frequenza di funzionamento più elevata,e contribuisce ad aumentare la densità di potenza e la riduzione della dimensione/costo del sistemaLa sua elevata affidabilità garantisce un funzionamento robusto in condizioni di sovratensione o sovratensione.
Caratteristiche:
Temperatura massima di giunzione 175°C
Capacità di corrente di grande portata
Coefficiente di temperatura positiva
Facilità di parallelo
Nessun recupero inverso/nessun recupero anticipato
Applicazioni tipiche:
Scopo generale
SMPS, inverter solare, UPS
Circuiti di commutazione di potenza
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